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SIRM是非接觸和非破壞型光學檢測設備，對體微缺陷，如氧化物和金屬沉淀，位錯、堆垛層錯，體材料中的滑線和空隙等進行測試。 這個技術也可對GaAs 和 InP等復合材料進行測試。
LST是檢測半導體材料的體微缺陷有力工具，通過CCD相機，對入射光在樣品邊沿的散射進行掃描，獲得體微缺陷分布信息。
LEIModel1605，是非接觸遷移率測試系統，可對各種半導體材料和器件結構進行測試。無需制樣，消除了樣品制備引起的遷移率變化。
非接觸Hal和方塊電陽測試系統，可對GaAs,InP,InAs,GaN,AIN,Si,SiC等各種半導體材料設計的HEMTs,pHEMTs,HBTs,FETs器件結構進行測試。
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